工厂包装数量 | 3000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
晶体管极性 | N-Channel |
封装/外壳 | Power-33-8 |
宽度 | 3.3 mm |
Qg - Gate Charge | 19 nC, 60 nC |
Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
下降时间 | 2 ns, 4 ns |
安装风格 | SMD/SMT |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
通道数 | 2 Channel |
配置 | Dual |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 2 N-Channel |
正向跨导 - 闵 | 97 S, 231 S |
Id - Continuous Drain Current | 12 A |
长度 | 3.3 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 7.3 mOhms |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 20 ns, 38 ns |
身高 | 0.8 mm |
封装 | Reel |
典型导通延迟时间 | 7 ns, 13 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 1.6 W, 2 W |
上升时间 | 2 ns, 5 ns |
技术 | Si |
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